Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6007JNJGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 96W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm.
Інші пропозиції R6007JNJGTL за ціною від 145.71 грн до 244.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
R6007JNJGTL | ROHM |
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 96W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
R6007JNJGTL | ROHM |
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 96W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 94 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6007JNJGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 145.71 грн |
| R6007JNJGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 145.71 грн |
| R6007JNJGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 243.34 грн |
| 10+ | 188.40 грн |
| R6007JNJGTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 244.56 грн |
| 75+ | 189.34 грн |
| R6007JNJGTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6007JNJGTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.78 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





