Продукція > ROHM > R6007JNJGTL
R6007JNJGTL

R6007JNJGTL ROHM

r6007jnjgtl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6007JNJGTL ROHM

Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6007JNJGTL за ціною від 106.09 грн до 215.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6007JNJGTL R6007JNJGTL Виробник : Rohm Semiconductor r6007jnjgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+106.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTL R6007JNJGTL Виробник : Rohm Semiconductor r6007jnjgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.94 грн
10+186.69 грн
100+150.07 грн
500+115.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTL R6007JNJGTL Виробник : ROHM r6007jnjgtl-e.pdf Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR r6007jnjgtl-e.pdf R6007JNJGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTL R6007JNJGTL Виробник : ROHM Semiconductor r6007jnjgtl-e.pdf MOSFETs R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.