R6007KNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 155+ | 79.32 грн |
| 158+ | 77.87 грн |
| 165+ | 74.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6007KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6007KNXC7G за ціною від 36.55 грн до 228.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6007KNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWIPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6007KNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 600V POWER MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|