Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009END3TL1
R6009END3TL1

R6009END3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6009END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009END3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції R6009END3TL1 за ціною від 74.78 грн до 237.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6009END3TL1 R6009END3TL1 Rohm Semiconductor r6009end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+105.14 грн
142+100.43 грн
250+96.41 грн
500+89.61 грн
1000+80.27 грн
2500+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 R6009END3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.86 грн
10+140.75 грн
100+112.01 грн
500+88.95 грн
1000+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 R6009END3TL1 Rohm Semiconductor r6009end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.64 грн
10+151.71 грн
100+114.10 грн
500+101.35 грн
1000+90.08 грн
2500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 R6009END3TL1 Rohm Semiconductor r6009end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+188.58 грн
94+152.47 грн
125+114.67 грн
500+101.85 грн
1000+90.53 грн
2500+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 R6009END3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+237.19 грн
10+152.23 грн
100+92.15 грн
500+78.98 грн
1000+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 R6009END3TL1 Rohm Semiconductor r6009end3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 r6009end3tl1-e.pdf
R6009END3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+105.14 грн
142+100.43 грн
250+96.41 грн
500+89.61 грн
1000+80.27 грн
2500+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 datasheet?p=R6009END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009END3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.86 грн
10+140.75 грн
100+112.01 грн
500+88.95 грн
1000+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 r6009end3tl1-e.pdf
R6009END3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.64 грн
10+151.71 грн
100+114.10 грн
500+101.35 грн
1000+90.08 грн
2500+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 r6009end3tl1-e.pdf
R6009END3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+188.58 грн
94+152.47 грн
125+114.67 грн
500+101.85 грн
1000+90.53 грн
2500+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 datasheet?p=R6009END3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009END3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.19 грн
10+152.23 грн
100+92.15 грн
500+78.98 грн
1000+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1 r6009end3tl1-e.pdf
R6009END3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.