Продукція > ROHM > R6009ENJTL

R6009ENJTL ROHM


r6009enjtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009ENJTL ROHM

Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6009ENJTL за ціною від 86.29 грн до 224.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6009ENJTL R6009ENJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
10+179.42 грн
100+129.78 грн
500+113.91 грн
1000+93.20 грн
2000+90.43 грн
5000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL R6009ENJTL ROHM r6009enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.71 грн
10+179.42 грн
100+129.78 грн
500+113.91 грн
1000+93.20 грн
2000+90.43 грн
5000+86.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL r6009enjtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.