Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009ENX
R6009ENX

R6009ENX Rohm Semiconductor

r6009enx-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.51 грн
10+234.70 грн
100+192.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009ENX Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6009ENX за ціною від 115.96 грн до 285.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6009ENX R6009ENX Виробник : ROHM Semiconductor r6009enx-e.pdf MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.98 грн
10+254.04 грн
100+180.54 грн
500+153.39 грн
1000+122.56 грн
5000+118.16 грн
10000+115.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.