Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009JND3TL1
R6009JND3TL1

R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor

r6009jnd3tl1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+72.27 грн
179+70.98 грн
795+15.94 грн
812+15.06 грн
1000+13.56 грн
2000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6009JND3TL1 за ціною від 81.64 грн до 224.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009jnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+135.45 грн
100+129.39 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009jnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+135.45 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.88 грн
10+114.14 грн
100+88.05 грн
500+87.25 грн
1000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : ROHM r6009jnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.95 грн
10+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009JND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.25 грн
10+193.69 грн
100+155.71 грн
500+120.06 грн
1000+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1 R6009JND3TL1 Виробник : ROHM r6009jnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.