Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009JNJGTL
R6009JNJGTL

R6009JNJGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6009JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+99.22 грн
2000+89.39 грн
3000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009JNJGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm.

Інші пропозиції R6009JNJGTL за ціною від 98.33 грн до 283.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6009JNJGTL R6009JNJGTL Rohm Semiconductor r6009jnjgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.13 грн
90+158.84 грн
100+153.45 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL R6009JNJGTL Rohm Semiconductor r6009jnjgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.13 грн
90+158.84 грн
100+153.45 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL R6009JNJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
10+179.02 грн
100+125.65 грн
500+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL R6009JNJGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL R6009JNJGTL ROHM r6009jnjgtl-e.pdf Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL R6009JNJGTL Rohm Semiconductor r6009jnjgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL R6009JNJGTL ROHM r6009jnjgtl-e.pdf Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL r6009jnjgtl-e.pdf
R6009JNJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.13 грн
90+158.84 грн
100+153.45 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL r6009jnjgtl-e.pdf
R6009JNJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.13 грн
90+158.84 грн
100+153.45 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL datasheet?p=R6009JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009JNJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
10+179.02 грн
100+125.65 грн
500+98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL datasheet?p=R6009JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009JNJGTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL r6009jnjgtl-e.pdf
R6009JNJGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL r6009jnjgtl-e.pdf
R6009JNJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTL r6009jnjgtl-e.pdf
R6009JNJGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.