R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6009KND3TL1 за ціною від 48.81 грн до 149.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+100.03 грн
100+69.03 грн
250+63.58 грн
500+58.26 грн
1000+57.44 грн
2500+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.89 грн
10+96.85 грн
100+68.08 грн
500+51.18 грн
1000+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.42 грн
10+100.03 грн
100+69.03 грн
250+63.58 грн
500+58.26 грн
1000+57.44 грн
2500+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.89 грн
10+96.85 грн
100+68.08 грн
500+51.18 грн
1000+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.