Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009KND3TL1
R6009KND3TL1

R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm.

Інші пропозиції R6009KND3TL1 за ціною від 50.23 грн до 174.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.56 грн
10+96.63 грн
100+67.93 грн
500+51.07 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor r6009knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.46 грн
10+125.79 грн
25+124.53 грн
50+119.57 грн
100+84.44 грн
250+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor r6009knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+174.32 грн
112+126.42 грн
114+120.17 грн
149+84.86 грн
250+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM r6009knd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor r6009knd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 ROHM r6009knd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6009KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.56 грн
10+96.63 грн
100+67.93 грн
500+51.07 грн
1000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 r6009knd3tl1-e.pdf
R6009KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+173.46 грн
10+125.79 грн
25+124.53 грн
50+119.57 грн
100+84.44 грн
250+80.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 r6009knd3tl1-e.pdf
R6009KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+174.32 грн
112+126.42 грн
114+120.17 грн
149+84.86 грн
250+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6009KND3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 r6009knd3tl1-e.pdf
R6009KND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 r6009knd3tl1-e.pdf
R6009KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 r6009knd3tl1-e.pdf
R6009KND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.