Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6009RND3TL1
R6009RND3TL1

R6009RND3TL1 ROHM Semiconductor

r6009rnd3tl1-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.62 грн
5000+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009RND3TL1 ROHM Semiconductor

Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6009RND3TL1 за ціною від 50.42 грн до 110.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Виробник : ROHM r6009rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.51 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Виробник : ROHM r6009rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.51 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.39 грн
11+80.11 грн
100+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.35 грн
10+77.60 грн
25+70.39 грн
100+58.67 грн
250+55.14 грн
500+53.01 грн
1000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+102.94 грн
130+93.83 грн
160+76.35 грн
200+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.