Продукція > ROHM > R6009RND3TL1
R6009RND3TL1

R6009RND3TL1 ROHM

r6009rnd3tl1-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6009RND3TL1 ROHM

Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6009RND3TL1 за ціною від 42.04 грн до 107.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 ROHM r6009rnd3tl1-e.pdf Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.93 грн
100+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 Rohm Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+69.78 грн
25+63.33 грн
100+52.76 грн
250+49.59 грн
500+47.68 грн
1000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 R6009RND3TL1 ROHM Semiconductor r6009rnd3tl1-e.pdf MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET
на замовлення 5127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+70.34 грн
100+51.02 грн
500+49.01 грн
1000+48.53 грн
2500+46.46 грн
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 r6009rnd3tl1-e.pdf
R6009RND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+42.93 грн
100+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 r6009rnd3tl1-e.pdf
R6009RND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+69.78 грн
25+63.33 грн
100+52.76 грн
250+49.59 грн
500+47.68 грн
1000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1 r6009rnd3tl1-e.pdf
R6009RND3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET
на замовлення 5127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+107.12 грн
10+70.34 грн
100+51.02 грн
500+49.01 грн
1000+48.53 грн
2500+46.46 грн
5000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.