R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 64.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6010YND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6010YND3TL1 за ціною від 61.61 грн до 158.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6010YND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6010YND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6010YND3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6010YND3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
R6010YND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |