
R6010YNX3C16 Rohm Semiconductor
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
101+ | 120.99 грн |
110+ | 111.84 грн |
129+ | 94.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6010YNX3C16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6010YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6010YNX3C16 за ціною від 77.98 грн до 214.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6010YNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6010YNX3C16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6010YNX3C16 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
R6010YNX3C16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |