Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6010YNX3C16
R6010YNX3C16

R6010YNX3C16 Rohm Semiconductor

r6010ynx3c16-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
101+120.70 грн
110+111.57 грн
129+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6010YNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6010YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6010YNX3C16 за ціною від 77.79 грн до 214.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6010YNX3C16 R6010YNX3C16 Виробник : Rohm Semiconductor r6010ynx3c16-e.pdf Description: 600V 10A TO-220AB, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.30 грн
10+144.41 грн
100+114.72 грн
500+88.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16 R6010YNX3C16 Виробник : ROHM Semiconductor r6010ynx3c16-e.pdf MOSFETs 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.78 грн
10+167.11 грн
100+115.22 грн
250+105.68 грн
500+96.14 грн
1000+82.20 грн
3000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16 R6010YNX3C16 Виробник : ROHM r6010ynx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6010YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.06 грн
10+164.66 грн
100+130.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16 R6010YNX3C16 Виробник : Rohm Semiconductor r6010ynx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.