Технічний опис R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6011KND3TL1 за ціною від 77.32 грн до 244.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6011KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6011KND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6011KND3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6011KND3TL1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6011KND3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 57 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6011KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 193.55 грн |
| 100+ | 182.44 грн |
| 250+ | 178.74 грн |
| 500+ | 168.78 грн |
| 1000+ | 146.36 грн |
| R6011KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 211.82 грн |
| 10+ | 134.50 грн |
| R6011KND3TL1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 212.80 грн |
| 10+ | 170.29 грн |
| 100+ | 135.57 грн |
| 500+ | 107.65 грн |
| 1000+ | 91.34 грн |
| R6011KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 244.84 грн |
| 10+ | 154.02 грн |
| 100+ | 101.48 грн |
| 500+ | 82.84 грн |
| 1000+ | 77.32 грн |
| R6011KND3TL1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)