на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.55 грн |
| 10+ | 139.26 грн |
| 100+ | 97.61 грн |
| 500+ | 80.00 грн |
| 1000+ | 66.42 грн |
| 2500+ | 61.87 грн |
| 5000+ | 59.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6011KNX ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6011KNX за ціною від 57.95 грн до 204.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6011KNX | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6011KNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| R6011KNX | Виробник : ROHM - Japan |
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|