R6011KNXC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 136.97 грн |
| 107+ | 132.32 грн |
| 250+ | 128.31 грн |
| 500+ | 120.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6011KNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6011KNXC7G за ціною від 93.17 грн до 271.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6011KNXC7G | Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SWPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6011KNXC7G | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
R6011KNXC7G | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6011KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.99 грн |
| 50+ | 133.48 грн |
| 100+ | 121.05 грн |
| 500+ | 93.17 грн |
| R6011KNXC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6011KNXC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)