R6012ANX
Виробник:
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6012ANX
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції R6012ANX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6012ANX | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
R6012ANX | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 600V 12A MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6012ANX |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| R6012ANX |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 12A MOSFET
MOSFETs Nch 600V 12A MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.