R6012FNX Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 224.96 грн |
| 66+ | 216.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6012FNX Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції R6012FNX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6012FNX | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6012FNX |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)