Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6012JNXC7G
R6012JNXC7G

R6012JNXC7G Rohm Semiconductor

r6012jnx-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+123.04 грн
128+113.31 грн
132+110.23 грн
500+100.59 грн
1000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 118 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6012JNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6012JNXC7G за ціною від 122.18 грн до 401.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6012JNXC7G R6012JNXC7G ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+401.86 грн
10+259.00 грн
100+168.54 грн
500+141.31 грн
1000+127.33 грн
2000+122.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7G R6012JNXC7G ROHM r6012jnx-e.pdf Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7G R6012JNXC7G Rohm Semiconductor r6012jnx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7G
R6012JNXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 12A
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+401.86 грн
10+259.00 грн
100+168.54 грн
500+141.31 грн
1000+127.33 грн
2000+122.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7G r6012jnx-e.pdf
R6012JNXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7G r6012jnx-e.pdf
R6012JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.