Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6013VND3TL1
R6013VND3TL1

R6013VND3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.38 грн
10+120.06 грн
25+109.72 грн
100+92.30 грн
250+87.22 грн
500+84.16 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6013VND3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, Verlustleistung: 131W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції R6013VND3TL1 за ціною від 95.93 грн до 112.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6013VND3TL1 R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 R6013VND3TL1 ROHM datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 R6013VND3TL1 ROHM datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 Rohm Semiconductor r6013vnd3tl1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.77 грн
132+107.48 грн
148+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6013VND3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6013VND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 datasheet?p=R6013VND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6013VND3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 131W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1 r6013vnd3tl1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+112.77 грн
132+107.48 грн
148+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.