на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 101.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6013VND3TL1 ROHM Semiconductor
Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6013VND3TL1 за ціною від 82.56 грн до 186.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6013VND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6013VND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
R6013VND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |