R6013VND3TL1 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 103.04 грн |
| 500+ | 85.13 грн |
| 1000+ | 75.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6013VND3TL1 ROHM
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 131W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6013VND3TL1 за ціною від 75.80 грн до 183.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6013VND3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6013VND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6013VND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
R6013VND3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET |
на замовлення 5047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| R6013VND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
R6013VND3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |