R6013VNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.37 грн |
| 10+ | 94.11 грн |
| 50+ | 80.56 грн |
| 100+ | 71.65 грн |
| 250+ | 67.47 грн |
| 500+ | 64.95 грн |
| 1000+ | 61.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6013VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220FM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6013VNXC7G за ціною від 110.09 грн до 190.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6013VNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 39A N-CH MOSFET |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|