Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6014YNX3C16
R6014YNX3C16

R6014YNX3C16 Rohm Semiconductor

r6014ynx3c16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+344.06 грн
50+170.82 грн
100+155.33 грн
500+120.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6014YNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.26 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6014YNX3C16

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6014YNX3C16 R6014YNX3C16 ROHM Semiconductor r6014ynx3c16-e.pdf MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16 R6014YNX3C16 ROHM r6014ynx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.26 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16 r6014ynx3c16-e.pdf
R6014YNX3C16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16 r6014ynx3c16-e.pdf
R6014YNX3C16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.26 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.