
R6015ANJTL Rohm Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
72+ | 169.99 грн |
75+ | 163.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6015ANJTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6015ANJTL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6015ANJTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
R6015ANJTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |