
R6015ANX Rohm Semiconductor
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 337.15 грн |
38+ | 322.66 грн |
50+ | 310.37 грн |
100+ | 289.13 грн |
250+ | 259.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6015ANX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6015ANX за ціною від 289.84 грн до 443.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6015ANX | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
R6015ANX Код товару: 105991
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||
![]() |
R6015ANX | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |