Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6015ENXC7G
R6015ENXC7G

R6015ENXC7G Rohm Semiconductor

r6015enx-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.14 грн
100+122.73 грн
107+114.62 грн
500+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6015ENXC7G Rohm Semiconductor

Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V.

Інші пропозиції R6015ENXC7G за ціною від 108.07 грн до 312.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6015enx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+173.79 грн
73+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6015enx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+173.79 грн
73+167.16 грн
100+161.49 грн
250+151.00 грн
500+136.01 грн
1000+127.38 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.28 грн
50+153.21 грн
100+146.43 грн
500+115.89 грн
1000+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G R6015ENXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.40 грн
10+230.33 грн
25+158.92 грн
100+147.31 грн
500+121.19 грн
1000+116.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7G Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6015ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key R6015ENXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.