R6015KNX Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.20 грн |
| 10+ | 121.59 грн |
| 100+ | 83.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6015KNX Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6015KNX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6015KNX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
R6015KNX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET |
товару немає в наявності |