R6018JNJGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.56 грн
10+242.38 грн
100+175.26 грн
500+136.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6018JNJGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA, Supplier Device Package: LPTS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6018JNJGTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6018JNJGTL R6018JNJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTL R6018JNJGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTL datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTL datasheet?p=R6018JNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.