R6018JNJGTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.47 грн |
| 10+ | 166.32 грн |
| 25+ | 163.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6018JNJGTL ROHM
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 220W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції R6018JNJGTL за ціною від 130.74 грн до 390.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6018JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6018JNJGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6018JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 220W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
R6018JNJGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |