R6018JNXC7G

R6018JNXC7G Rohm Semiconductor


r6018jnx-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+247.67 грн
250+192.81 грн
500+191.20 грн
1000+176.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6018JNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6018JNXC7G за ціною від 133.18 грн до 367.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6018JNXC7G R6018JNXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.97 грн
10+181.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G R6018JNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6018jnx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+328.25 грн
50+250.05 грн
66+187.28 грн
100+171.66 грн
500+146.08 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G R6018JNXC7G Виробник : ROHM datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G R6018JNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.41 грн
50+279.93 грн
100+239.95 грн
500+200.16 грн
1000+171.39 грн
2000+161.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.