Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6018JNXC7G
R6018JNXC7G

R6018JNXC7G Rohm Semiconductor

r6018jnx-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+283.68 грн
250+220.85 грн
500+219.00 грн
1000+202.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6018JNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6018JNXC7G за ціною від 152.55 грн до 375.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6018JNXC7G R6018JNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.48 грн
50+266.28 грн
100+228.24 грн
500+190.40 грн
1000+163.03 грн
2000+153.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G R6018JNXC7G Rohm Semiconductor r6018jnx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.98 грн
50+286.41 грн
66+214.51 грн
100+196.62 грн
500+167.32 грн
1000+152.55 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G R6018JNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G R6018JNXC7G ROHM datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6018JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+349.48 грн
50+266.28 грн
100+228.24 грн
500+190.40 грн
1000+163.03 грн
2000+153.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G r6018jnx-e.pdf
R6018JNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+375.98 грн
50+286.41 грн
66+214.51 грн
100+196.62 грн
500+167.32 грн
1000+152.55 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6018JNXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7G datasheet?p=R6018JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6018JNXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.