Продукція > ROHM > R6018VNXC7G
R6018VNXC7G

R6018VNXC7G ROHM


datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.34 грн
10+131.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6018VNXC7G ROHM

Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6018VNXC7G за ціною від 97.90 грн до 338.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6018VNXC7G R6018VNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6018vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+247.67 грн
250+184.74 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G R6018VNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.36 грн
50+138.57 грн
100+131.32 грн
500+101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G R6018VNXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.86 грн
10+156.76 грн
100+127.27 грн
500+103.93 грн
1000+99.41 грн
2000+97.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G R6018VNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6018vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+338.54 грн
42+296.35 грн
77+160.52 грн
100+151.81 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.