R6018VNXC7G Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.29 грн |
| 50+ | 137.47 грн |
| 100+ | 124.76 грн |
| 500+ | 96.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6018VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції R6018VNXC7G за ціною від 99.44 грн до 382.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6018VNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6018VNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6018VNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R6018VNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|