Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6018VNXC7G
R6018VNXC7G

R6018VNXC7G Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.64 грн
50+136.17 грн
100+123.57 грн
500+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6018VNXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 61W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm.

Інші пропозиції R6018VNXC7G за ціною від 173.89 грн до 387.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6018VNXC7G R6018VNXC7G Rohm Semiconductor r6018vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+283.68 грн
250+211.61 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G R6018VNXC7G Rohm Semiconductor r6018vnxc7g-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.77 грн
42+339.44 грн
77+183.87 грн
100+173.89 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G R6018VNXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G R6018VNXC7G ROHM datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G r6018vnxc7g-e.pdf
R6018VNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+283.68 грн
250+211.61 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G r6018vnxc7g-e.pdf
R6018VNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+387.77 грн
42+339.44 грн
77+183.87 грн
100+173.89 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6018VNXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7G datasheet?p=R6018VNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6018VNXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.