R6018VNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 244.13 грн |
| 250+ | 182.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6018VNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6018VNXC7G за ціною від 107.53 грн до 333.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6018VNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WITPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6018VNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6018VNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R6018VNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|