R6020ANZC8 Rohm Semiconductor
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 338.89 грн |
| 38+ | 324.32 грн |
| 50+ | 311.97 грн |
| 100+ | 290.62 грн |
| 250+ | 260.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ANZC8 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6020ANZC8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6020ANZC8 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
R6020ANZC8 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
R6020ANZC8 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |