R6020ENX ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 297.93 грн |
| 10+ | 236.03 грн |
| 100+ | 150.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENX ROHM
Description: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6020ENX за ціною від 119.92 грн до 363.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020ENX | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6020ENX | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|