Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020ENXC7G
R6020ENXC7G

R6020ENXC7G Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.90 грн
50+134.79 грн
100+134.16 грн
500+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6020ENXC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6020ENXC7G за ціною від 151.84 грн до 280.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor r6020enx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.39 грн
71+201.50 грн
100+196.31 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor r6020enx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+280.98 грн
72+198.95 грн
100+166.89 грн
500+151.84 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G ROHM r6020enx-e.pdf Description: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G R6020ENXC7G Rohm Semiconductor r6020enx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G r6020enx-e.pdf
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+226.39 грн
71+201.50 грн
100+196.31 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G r6020enx-e.pdf
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+280.98 грн
72+198.95 грн
100+166.89 грн
500+151.84 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G datasheet?p=R6020ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENXC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G r6020enx-e.pdf
R6020ENXC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7G r6020enx-e.pdf
R6020ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.