Продукція > ROHM > R6020ENZ4C13
R6020ENZ4C13

R6020ENZ4C13 ROHM

datasheet?p=R6020ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+486.53 грн
10+437.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6020ENZ4C13 ROHM

Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: R6xxxENx, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6020ENZ4C13 за ціною від 187.81 грн до 521.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6020ENZ4C13 R6020ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6020enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+486.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13 R6020ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.17 грн
30+280.52 грн
120+234.12 грн
510+187.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13 R6020ENZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020ENZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.92 грн
10+507.49 грн
25+260.07 грн
100+218.37 грн
250+194.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13 R6020ENZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6020enz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.