
R6020ENZC17 Rohm Semiconductor
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 291.31 грн |
52+ | 237.75 грн |
100+ | 210.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENZC17 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6020ENZC17 за ціною від 198.83 грн до 445.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6020ENZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6020ENZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6020ENZC17 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|