R6020ENZC17 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 338.50 грн |
| 52+ | 276.27 грн |
| 100+ | 245.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020ENZC17 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3PF, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції R6020ENZC17 за ціною від 203.19 грн до 504.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PFInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6020ENZC17 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6020ENZC17 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 417.68 грн |
| 30+ | 218.44 грн |
| 120+ | 203.19 грн |
| R6020ENZC17 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 504.53 грн |
| 48+ | 294.77 грн |
| 49+ | 288.91 грн |
| 100+ | 252.16 грн |
| R6020ENZC17 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
MOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)