R6020FNJTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 246.28 грн |
| 60+ | 236.89 грн |
| 100+ | 228.85 грн |
| 250+ | 213.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020FNJTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: LPTS, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 304W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції R6020FNJTL за ціною від 116.59 грн до 300.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020FNJTL | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6020FNJTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| R6020FNJTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.66 грн |
| 10+ | 200.43 грн |
| 100+ | 147.47 грн |
| 500+ | 116.59 грн |
| R6020FNJTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)