R6020JNZ4C13 Rohm Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 349.88 грн |
| 37+ | 334.85 грн |
| 50+ | 322.08 грн |
| 100+ | 300.05 грн |
| 250+ | 269.39 грн |
| 500+ | 251.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020JNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6020JNZ4C13 за ціною від 169.58 грн до 381.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020JNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6020JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6020JNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
R6020JNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |