Технічний опис R6020JNZC8 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-3PF, Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA, Power Dissipation (Max): 76W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції R6020JNZC8 за ціною від 410.71 грн до 778.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| R6020JNZC8 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 531.23 грн |
| R6020JNZC8 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 625.35 грн |
| 10+ | 410.71 грн |
| R6020JNZC8 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 778.97 грн |