Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020KNJTL
R6020KNJTL

R6020KNJTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+118.67 грн
2000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6020KNJTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції R6020KNJTL за ціною від 107.00 грн до 340.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.56 грн
10+165.11 грн
100+159.47 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+210.53 грн
100+149.00 грн
500+115.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.68 грн
10+221.50 грн
100+136.69 грн
500+112.53 грн
1000+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+262.56 грн
10+165.11 грн
100+159.47 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.62 грн
10+210.53 грн
100+149.00 грн
500+115.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.68 грн
10+221.50 грн
100+136.69 грн
500+112.53 грн
1000+107.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.