Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6020KNJTL
R6020KNJTL

R6020KNJTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+115.47 грн
2000+104.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6020KNJTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 231W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm.

Інші пропозиції R6020KNJTL за ціною від 114.09 грн до 349.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor r6020knjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+221.16 грн
78+183.20 грн
100+156.62 грн
200+143.70 грн
500+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.41 грн
10+204.85 грн
100+144.98 грн
500+117.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 317 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+349.82 грн
10+178.30 грн
100+140.41 грн
500+120.67 грн
1000+114.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor r6020knjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL ROHM datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL r6020knjtl-e.pdf
R6020KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+221.16 грн
78+183.20 грн
100+156.62 грн
200+143.70 грн
500+131.36 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.41 грн
10+204.85 грн
100+144.98 грн
500+117.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 317 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+349.82 грн
10+178.30 грн
100+140.41 грн
500+120.67 грн
1000+114.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL r6020knjtl-e.pdf
R6020KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.196 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 231W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.