R6020KNZ1C9 Rohm Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020KNZ1C9 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6020KNZ1C9
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| R6020KNZ1C9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
R6020KNZ1C9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |