
R6020YNXC7G ROHM

Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 124.55 грн |
10+ | 122.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6020YNXC7G ROHM
Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6020YNXC7G за ціною від 56.35 грн до 183.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
R6020YNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6020YNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6020YNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
R6020YNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |