Продукція > ROHM > R6020YNZ4C13
R6020YNZ4C13

R6020YNZ4C13 ROHM


r6020ynz4c13-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.11 грн
10+232.17 грн
100+227.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6020YNZ4C13 ROHM

Description: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6020YNZ4C13 за ціною від 110.72 грн до 321.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6020YNZ4C13 R6020YNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf MOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.99 грн
25+243.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13 R6020YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf Description: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.53 грн
30+171.07 грн
120+140.45 грн
510+110.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+216.65 грн
74+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6020ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+250.49 грн
54+226.64 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.