Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6022YNX3C16
R6022YNX3C16

R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor

r6022ynx3c16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.83 грн
88+161.43 грн
100+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6022YNX3C16 за ціною від 104.86 грн до 396.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor r6022ynx3c16-e.pdf Description: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.31 грн
10+193.27 грн
100+136.12 грн
500+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 Rohm Semiconductor r6022ynx3c16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.02 грн
48+298.19 грн
50+288.76 грн
100+207.99 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 ROHM Semiconductor r6022ynx3c16-e.pdf MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 R6022YNX3C16 ROHM r6022ynx3c16-e.pdf Description: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 r6022ynx3c16-e.pdf
R6022YNX3C16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.31 грн
10+193.27 грн
100+136.12 грн
500+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 r6022ynx3c16-e.pdf
R6022YNX3C16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+396.02 грн
48+298.19 грн
50+288.76 грн
100+207.99 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 r6022ynx3c16-e.pdf
R6022YNX3C16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16 r6022ynx3c16-e.pdf
R6022YNX3C16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.