R6022YNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 198.63 грн |
| 73+ | 166.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6022YNXC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції R6022YNXC7G за ціною від 76.29 грн до 330.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6022YNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MOPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6022YNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
R6022YNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
R6022YNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|