Продукція > ROHM > R6022YNZ4C13
R6022YNZ4C13

R6022YNZ4C13 ROHM


r6022ynz4c13-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.70 грн
10+191.47 грн
100+164.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6022YNZ4C13 ROHM

Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції R6022YNZ4C13 за ціною від 112.54 грн до 508.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf MOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.27 грн
25+252.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf Description: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.49 грн
30+173.35 грн
120+142.54 грн
510+112.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+429.07 грн
34+362.98 грн
52+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13 R6022YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6022ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+508.57 грн
50+432.84 грн
100+401.75 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.