R6024ENJTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 323.60 грн |
| 57+ | 250.08 грн |
| 100+ | 195.11 грн |
| 500+ | 187.67 грн |
| 1000+ | 145.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6024ENJTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LPTS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6024ENJTL за ціною від 121.35 грн до 345.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6024ENJTL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
R6024ENJTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6024ENJTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6024ENJTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
R6024ENJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 245 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
R6024ENJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6024ENJTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 323.66 грн |
| 10+ | 250.12 грн |
| 100+ | 195.15 грн |
| 500+ | 187.71 грн |
| 1000+ | 145.10 грн |
| R6024ENJTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 343.74 грн |
| 50+ | 315.10 грн |
| 300+ | 274.44 грн |
| R6024ENJTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 345.61 грн |
| 10+ | 220.36 грн |
| 100+ | 156.55 грн |
| 500+ | 121.35 грн |
| R6024ENJTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| R6024ENJTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6024ENJTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)