R6024ENX ROHM Semiconductor


r6024enx_e-1872958.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.84 грн
10+227.05 грн
25+195.37 грн
100+160.16 грн
250+158.09 грн
500+140.14 грн
1000+114.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6024ENX ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220FM, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції R6024ENX за ціною від 142.16 грн до 311.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6024ENX R6024ENX Rohm Semiconductor r6024enx-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
10+201.33 грн
100+142.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENX r6024enx-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+311.43 грн
10+201.33 грн
100+142.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.