R6024ENZC17 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 505.99 грн |
| 30+ | 279.79 грн |
| 60+ | 255.02 грн |
| 120+ | 219.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6024ENZC17 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6024ENZC17 за ціною від 208.43 грн до 547.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6024ENZC17 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise |
на замовлення 300 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| R6024ENZC17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 120W; TO3PF Mounting: THT Gate-source voltage: ±20V Case: TO3PF On-state resistance: 0.165Ω Power dissipation: 120W Gate charge: 70nC Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| R6024ENZC17 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise
MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 547.76 грн |
| 10+ | 283.43 грн |
| 100+ | 226.71 грн |
| 600+ | 208.43 грн |
| R6024ENZC17 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6024ENZC17 |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 120W; TO3PF
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO3PF
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 120W
Gate charge: 70nC
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 24A; 120W; TO3PF
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO3PF
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 120W
Gate charge: 70nC
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 358.17 грн |