R6024KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 315.56 грн |
| 30+ | 228.11 грн |
| 120+ | 223.06 грн |
| 510+ | 98.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6024KNZ4C13 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6024KNZ4C13 за ціною від 235.84 грн до 568.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
R6024KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
R6024KNZ4C13 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 245W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |