Інші пропозиції R6025ANZC8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
R6025ANZC8 | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PFInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
R6025ANZC8 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| R6025ANZC8 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| R6025ANZC8 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.