R6025JNXC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 76+ | 160.26 грн |
| 86+ | 143.02 грн |
| 100+ | 136.93 грн |
| 500+ | 123.24 грн |
| 1000+ | 108.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6025JNXC7G Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції R6025JNXC7G за ціною від 206.39 грн до 463.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
R6025JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
R6025JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6025JNXC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6025JNXC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V |
на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
R6025JNXC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| R6025JNXC7G | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
R6025JNXC7G THT N channel transistors |
товару немає в наявності |