R6025JNXC7G

R6025JNXC7G Rohm Semiconductor


r6025jnx-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+142.5 грн
86+ 136.57 грн
100+ 133.59 грн
500+ 125.01 грн
1000+ 113.98 грн
Мінімальне замовлення: 82
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6025JNXC7G Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA, Supplier Device Package: TO-220FM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V.

Інші пропозиції R6025JNXC7G за ціною від 200.61 грн до 480.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
R6025JNXC7G R6025JNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6025JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.56 грн
10+ 367.97 грн
100+ 297.69 грн
500+ 248.33 грн
1000+ 212.63 грн
R6025JNXC7G R6025JNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6025jnx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+465.46 грн
27+ 445.45 грн
50+ 428.48 грн
100+ 399.16 грн
250+ 358.38 грн
500+ 334.69 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6025JNXC7G R6025JNXC7G Виробник : Rohm Semiconductor r6025jnx-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+465.46 грн
27+ 445.45 грн
50+ 428.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6025JNXC7G R6025JNXC7G Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6025JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.48 грн
10+ 397.99 грн
50+ 326.81 грн
100+ 279.65 грн
250+ 264.37 грн
500+ 249.1 грн
1000+ 200.61 грн
R6025JNXC7G R6025JNXC7G Виробник : ROHM 2785926.pdf Description: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNXC7G Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6025JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6025JNXC7G Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=R6025JNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
товар відсутній