Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > R6025JNZC17
R6025JNZC17

R6025JNZC17 ROHM Semiconductor

datasheet?p=R6025JNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.01 грн
10+341.37 грн
300+245.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6025JNZC17 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.182 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 85W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm.

Інші пропозиції R6025JNZC17 за ціною від 255.32 грн до 582.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R6025JNZC17 R6025JNZC17 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6025JNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.62 грн
10+390.61 грн
300+255.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17 R6025JNZC17 ROHM datasheet?p=R6025JNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.182 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.30 грн
10+409.95 грн
100+300.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17 datasheet?p=R6025JNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6025JNZC17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+557.62 грн
10+390.61 грн
300+255.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17 datasheet?p=R6025JNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6025JNZC17
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.182 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+582.30 грн
10+409.95 грн
100+300.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.