R6025JNZC17 ROHM Semiconductor
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 541.14 грн |
| 10+ | 362.92 грн |
| 300+ | 261.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис R6025JNZC17 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції R6025JNZC17 за ціною від 260.99 грн до 677.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
R6025JNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PFPackaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6025JNZC17 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
R6025JNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
R6025JNZC17 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |