R6027YNZ4C13

R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor


r6027ynz4c13-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+287.45 грн
45+275.09 грн
50+264.62 грн
100+246.51 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис R6027YNZ4C13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-247G, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції R6027YNZ4C13 за ціною від 189.59 грн до 592.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6027YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.80 грн
10+401.87 грн
25+330.32 грн
100+283.24 грн
250+267.79 грн
600+227.33 грн
1200+206.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6027YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.32 грн
30+260.99 грн
120+221.35 грн
510+189.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 Виробник : ROHM r6027ynz4c13-e.pdf Description: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+514.15 грн
10+370.55 грн
100+300.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13 R6027YNZ4C13 Виробник : Rohm Semiconductor r6027ynz4c13-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+592.77 грн
23+532.78 грн
50+503.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.